责编:陈凯欣
2025-05-08
近日,中国科学技术大学的研究团队在高性能纯红光钙钛矿LED领域取得重要突破。该研究由姚宏斌、樊逢佳、林岳和胡伟带领的科研团队完成,他们通过创新性地研发新型技术与材料结构,成功解决了纯红光钙钛矿LED亮度提升过程中效率骤降的技术难题。
为了解决这一关键问题,研究团队自主研发了一种先进的表征技术——电激发瞬态吸收光谱技术(EETA)。该技术能够实时探测LED内部的电子和空穴行为。通过深入分析,他们发现空穴向电子传输层泄漏是导致LED性能下降的主要原因。
针对这一问题,研究团队创新性地提出了三维钙钛矿异质结的新材料结构设计。他们在钙钛矿晶格中引入有机分子,改变了发光层的晶体结构,并成功构建了阻止空穴泄漏的"屏障"——宽带隙能垒。这种设计不仅实现了载流子的有效限制,同时保持了材料的高迁移率特性。
基于这一创新性研究成果,团队开发出了性能卓越的纯红光钙钛矿LED器件。其峰值外量子效率(EQE)达到24.2%,与国际顶尖的有机发光二极管水平相当;最大亮度提升至24600坎德拉/平方米,相比前代产品提升了三倍。特别值得注意的是,在高亮度运行状态下(如22670坎德拉/平方米),该器件仍能维持超过10%的EQE,展现出极低的效率滚降特性。